Мошкова Т. С. Вплив легування на оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів In4(Se3)1-xTe3x / Т. С. Мошкова, Т. А. Мельничук, А. Д. Огородник, В. М. Стребежев // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 12. - С. 1356-1360. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Наведено результати електронно-мікроскопічного дослідження особливостей розподілу структурних дефектів, пов'язаних з анізотропією кристалічної гратки й умовами росту монокристалів In4(Se3)1-xTe3x (<$E 0~symbol Г~x~symbol Г~0,2> і <$E 0,68~symbol Г~x~symbol Г~1,0>). Вивчено вплив цих особливостей і легування домішками Ge, Sn, Hg, Se на пропускання ІЧ-випромінювання та на характер спектрального розподілу поперечної фото-ерс Дембера в кристалах. Здійснено оптичне просвітлювання плівками SiO і тришаровим просвітлювальним покриттям SiO - Ge - SiO монокристалів In4(Se3)1-xTe3x і In4Se3. Визначено оптимальні умови вирощування кристалів для одержання оптичних фільтрів і фоточутливих елементів, що функціонують у близькій і середній областях ІЧ-спектра. Індекс рубрикатора НБУВ: К202.1 + В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|