Розглянуто вплив наноструктурованої плівки <$E n - roman {In sub 2 O sub 3}> на електрофізичні параметри гетероструктур (<$E roman {In sub 2 O sub 3}~+~5~%~roman Sn )~-~p - roman Si> з масовою товщиною наношару <$E romam {In sub 2 O sub 3}~+~5~%~roman Sn> приблизно у 16 нм. Досліджено, що вольт-амперні характеристики (ВАХ) гетероструктури (<$E roman {In sub 2 O sub 3}~+~5~%~roman Sn )~-~p - roman Si> в газовому оточуючому середовищі змінюють параметри при зміні лабораторного середовища на середовище насичених парів аміаку. Показано, що відносна зміна параметрів ВАХ при зміні газового оточення залежить від зміни висоти потенціального бар'єра гетеропереходу і зміни спаду напруги на адсорбційно-активній наноплівці <$E roman {In sub 2 O sub 3}~+~5~%~roman Sn>. Встановлено, що зміна висоти потенціального бар'єра гетеропереходу і перерозподіл спаду напруги між адсорбційно-активною наноструктурованою плівкою і областю просторового заряду кремнієвої підкладки визначаються зміною величини заряду на наноплівці.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"