За допомогою методів рентгенівської дифракції, мас-спектроскопії іонів і резистометрії досліджено вплив орієнтації (100), (111) монокристалічної підкладки Si та товщини проміжного шару Ni на процеси фазоутворення в біметалічних тонкоплівкових Co/Ni/Si за умови відпалів у вакуумі <$E 1,3~cdot~10 sup -3> Па в інтервалі температур 470 - 1170 К, 1 год. Процеси утворення силіцидних фаз у бінарних системах на підкладках Si з різною орієнтацією за низьких температур відпалу (670 К) розвиваються аналогічно процесам, що спостерігаються в системі Ni/Si. Встановлено, що змішаний силіцид (Ni - Со)Si2 формується за температури 870 К, що на 150 К нижче за температуру утворення Ni/Si2 в системі Ni/Si.

• Сидоренко Сергій Іванович (1947–) (технічні науки)
• Сидоренко Сергій Іванович (1966–) (філологічні науки)
• Павлова Олена Петрівна (фізико-математичні науки)
• Котенко Ігор Євгенійович (фізико-математичні науки)
• Вербицька Тетяна Іванівна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"