Розглянуто вплив парів етилового спирту на електрофізичні параметри гетероструктур наноструктурована плівка (НСП) (In2O3 + 5 % Sn) - p - Si з масовою товщиною наноструктурованого шару In2O3 + 5 % Sn приблизно 18 нм. Одержано, що вольт-амперні характеристики (ВАХ) у газовому оточуючому середовищі змінюють параметри у разі зміни лабораторного середовища на середовище насичених парів етилового спирту. Показано, що відносна зміна параметрів ВАХ у разі зміни газового оточення залежить від зміни висоти потенціального бар'єру гетеропереходу (ЗВПБГ) і зміни падіння напруги на адсорбційно-активній НСП In2O3 + 5 % Sn. Установлено, що ЗВПБГ і перерозподіл падіння напруги між адсорбційно активною НСП та областю просторового заряду кремнієвої підкладки визначається зміною величини заряду на наноплівці.

Ключ. слова: гетероструктура, вольт-амперна характеристика, адсорбційно активна наноструктурована плівка
Індекс рубрикатора НБУВ: Ж620 + З843.39

Рубрики:

Нанотехнології

Напівпровідникові матеріали за консистенцією

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ільченко Володимир Васильович (технічні науки)
• Ільченко Василь Васильович (фізико-математичні науки)
• Телега Володимир Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"