Колосюк А. Г. Вплив температури на дефектоутворення в n-Si при електронному опроміненні / А. Г. Колосюк, А. М. Крайчинський, М. М. Красько, В. Б. Неймаш, В. В. Войтович, В. Ю. Поварчук, О. М. Кабалдін // Укр. фіз. журн. - 2007. - 52, № 7. - С. 685-689. - Бібліогр.: 5 назв. - укp.Досліджено кінетику утворення та відпалу A-центрів у зразках кремнію n-типу провідності, вирощеного за допомогою методу Чохральського (Cz n-Si), які опромінено електронами з енергією 1 МеВ, у двох серіях експериментів: опромінювання за кімнатної температури (КТ) із наступним відпалом за температури 360 <$E symbol Р>C; опромінювання за температури 360 <$E symbol Р>C. Показано, що відмінність у кінетиці A-центрів пов'язана з різницею умов накопичення та відпалу дефектів. Механізм відпалу A-центрів не змінюється під дією опромінювання. Причиною цього може бути недостатній ступінь збудження електронної підсистеми кристала в порівнянні з концентрацією рівноважних носіїв заряду. Встановлено, що зі збільшенням температури опромінювання від КТ до 360 <$E symbol Р>C швидкість генерації вільних вакансій <$E lambda sub V> практично не змінюється на відміну від діапазону 100 K - КТ, в якому <$E lambda sub V> зростає зі збільшенням температури. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З843.312
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|