РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000161048<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Пащенко В. П. 
Дефектность наноструктуры, фазовые переходы и температурные зависимости параметров решетки и свойств нестехиометрических магниторезистивных перовскитов <$E bold roman {La sub 0,6 sup 3+ A sub 0,2 sup 2+ Mn sub 1,2 O sub {3 symbol С delta} sup 2-}> (<$E bold roman {A sup 2+ :~Ca sup 2+ ,~Sr sup 2+ ,~Pb sup 2+}>) / В. П. Пащенко, А. А. Шемяков, И. В. Жихарев, В. К. Прокопенко, А. В. Пащенко, Ю. Ф. Ревенко, А. Г. Сильчева, Е. В. Игнатьева, В. В. Пащенко // Металлофизика и новейшие технологии. - 2005. - 27, № 12. - С. 1567-1580. - Библиогр.: 35 назв. - рус.

Рентгеноструктурным, резистивным, магнитными, в том числе ЯМР <$E nothing sup 55 roman Mn>, методами исследованы допированные керамические магниторезистивные манганит-лантановые перовскиты со сверхстехиометрическим марганцем <$E roman {La sub 0,6 sup 3+ A sub 0,2 sup 2+ Mn sub 1,2 O sub {3 symbol С delta} sup 2-}> (<$E roman {A sup 2+ :~Ca sup 2+ ,~Sr sup 2+ ,~Pb sup 2+}>). Установлено, что реальная перовскитовая структура содержит анионные, катионные вакансии и мезоскопические наноструктурные дефекты кластерного типа. Широкие асимметрические спектры ЯМР <$E nothing sup 55 roman Mn> свидетельствуют о высокочастотном электронно-дырочном обмене между <$E roman {Mn sup 3+~-~Mn sup 4+}> и неэквивалентности их окружения, обусловленной неоднородностью распределения ионов и дефектов. Обнаруженные аномалии температурных зависимостей параметров решетки объяснены изменениями валентностей марганца, суперпозиции их разновалентных и спиновых состояний. Различия температур фазовых переходов металл- полупроводник и ферро - парамагнетик Ca-, Sr- и Pb-содержащих манганитов связаны с различным влиянием кислородной нестехиометрии и дефектов на магнитные и транспортные свойства. Противоположный характер концентрационных зависимостей магниторезистивного эффекта (МРЭ) вблизи фазовых переходов и так называемого низкополевого МРЭ, обусловленного туннелированием на межкристаллитных границах, объяснен различными вкладами кристаллитов (доменов) и межкристаллитных (междоменных) зон. Различные значения энергии активации (<$E E sub a>) объяснены различной дефектностью кристаллической решетки. Максимальные значения <$E E sub a>, характерные для Pb-содержащих манг

анитов, обусловлены минимальной дефектностью кластерного типа.


Ключ. слова: допированные манганит-лантановые перовскиты, дефектность наноструктуры, фазовые переходы, ЯМР "55 Mn, энергия активации, магниторезистивный эффект
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського