Пащенко В. П. Дефектность наноструктуры, фазовые переходы и температурные зависимости параметров решетки и свойств нестехиометрических магниторезистивных перовскитов <$E bold roman {La sub 0,6 sup 3+ A sub 0,2 sup 2+ Mn sub 1,2 O sub {3 symbol С delta} sup 2-}> (<$E bold roman {A sup 2+ :~Ca sup 2+ ,~Sr sup 2+ ,~Pb sup 2+}>) / В. П. Пащенко, А. А. Шемяков, И. В. Жихарев, В. К. Прокопенко, А. В. Пащенко, Ю. Ф. Ревенко, А. Г. Сильчева, Е. В. Игнатьева, В. В. Пащенко // Металлофизика и новейшие технологии. - 2005. - 27, № 12. - С. 1567-1580. - Библиогр.: 35 назв. - рус.Рентгеноструктурным, резистивным, магнитными, в том числе ЯМР <$E nothing sup 55 roman Mn>, методами исследованы допированные керамические магниторезистивные манганит-лантановые перовскиты со сверхстехиометрическим марганцем <$E roman {La sub 0,6 sup 3+ A sub 0,2 sup 2+ Mn sub 1,2 O sub {3 symbol С delta} sup 2-}> (<$E roman {A sup 2+ :~Ca sup 2+ ,~Sr sup 2+ ,~Pb sup 2+}>). Установлено, что реальная перовскитовая структура содержит анионные, катионные вакансии и мезоскопические наноструктурные дефекты кластерного типа. Широкие асимметрические спектры ЯМР <$E nothing sup 55 roman Mn> свидетельствуют о высокочастотном электронно-дырочном обмене между <$E roman {Mn sup 3+~-~Mn sup 4+}> и неэквивалентности их окружения, обусловленной неоднородностью распределения ионов и дефектов. Обнаруженные аномалии температурных зависимостей параметров решетки объяснены изменениями валентностей марганца, суперпозиции их разновалентных и спиновых состояний. Различия температур фазовых переходов металл- полупроводник и ферро - парамагнетик Ca-, Sr- и Pb-содержащих манганитов связаны с различным влиянием кислородной нестехиометрии и дефектов на магнитные и транспортные свойства. Противоположный характер концентрационных зависимостей магниторезистивного эффекта (МРЭ) вблизи фазовых переходов и так называемого низкополевого МРЭ, обусловленного туннелированием на межкристаллитных границах, объяснен различными вкладами кристаллитов (доменов) и межкристаллитных (междоменных) зон. Различные значения энергии активации (<$E E sub a>) объяснены различной дефектностью кристаллической решетки. Максимальные значения <$E E sub a>, характерные для Pb-содержащих манг анитов, обусловлены минимальной дефектностью кластерного типа. Ключ. слова: допированные манганит-лантановые перовскиты, дефектность наноструктуры, фазовые переходы, ЯМР "55 Mn, энергия активации, магниторезистивный эффект Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|