С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного <$E {roman Al} sub x(z) {roman Ga} sub 1-x(z) roman As> с <$E n sup + - n> и <$E n sup + -n sup - -n> катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что <$E {roman Al} sub x(z) {roman Ga} sub 1-x(z) roman As> диоды по выходной мощности и эффективности генерации во всем диапазоне частот превосходят диоды на основе пространственно однородных по составу полупроводниковых соединений <$E {roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As> при <$E х~=~0~symbol Ш~0,2>.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"