Досліджено дію імпульсу вільної генерації рубінового лазера на поверхню (112) монокристала Ge. Шляхом розв'язання диференціального рівняння теплопровідності отримані залежності густини оптичної потужності, яка поглинається поверхнею Ge, від часу опромінення, а також розподіл температури на поверхні вздовж радіуса лазерної плями. Проаналізовано фізичний механізм виникнення дислокацій на ділянці з температурою ~ 450 К, де фотонагрів не є головним фактором дефектоутворення. Зроблено висновок, що дислокації в лінійно-періодичних структурах виникають за рахунок гетерогенного зародження і розширення призматичних петель, орієнтованих в періодично-індукованому полі концентрації вакансій.

• Надточій Віктор Олексійович (фізико-математичні науки)
• Москаль Денис Степанович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"