Досліджено електрофізичні параметри тестових структур на високоомному кремнії, які сформовані в процесі виготовлення p - i - n фотодіодів. За допомогою тестових МДН структур спеціальної конструкції визначено практично важливі характеристики систем Si - SiO2 та Si - SiO2 - Si3N4, які характеризують якість кремнію та міжфазової границі розділу діелектрик - напівпровідник: швидкість поверхневої генерації Sg, об'ємний генераційний час життя неосновних носіїв заряду у кремнії <$E tau sub roman g>, а також значення фіксованого заряду Qss та рухомого заряду у діелектрику Qi. Встановлено вплив типу діелектрика на величину Sg та напруги на діелектрику на швидкість генерації неосновних носіїв заряду у МДН структурах. Виявлено взаємозв'язок величин рухомого заряду з рівнем зворотніх струмів діодів. Показано високу інформативність застосованих конструкцій тестових МДН структур і використаної методології контролю якості технологічних структур у ході розробки та виготовлення p - i - n фотодіодів.

• Попов Віктор Миколайович (сільськогосподарські науки)
• Попов Віталій Миколайович (біологічні науки)
• Попов Володимир Миколайович (економічні науки)
• Попов Вадим Михайлович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"