Панченко Т. В. Електрофізичні властивості нелегованих та легованих іонами Al і Ga кристалів Bi12SiO20 в електретному стані / Т. В. Панченко, А. В. Юрчик // Укр. фіз. журн. - 2007. - 52, № 11. - С. 1085-1091. - Бібліогр.: 29 назв. - укp.Досліджено зв'язок нелінійності вольт-амперних (ВАХ) і вольт-фарадних характеристик (ВФХ) кристалів Bi12SiO20 із їх легуванням іонами Al, Ga і переведенням до термо- та фотоелектретного стану. Одержано залежності показника нелінійності і характеристик петель гістерезису ВАХ і ВФХ від температури поляризації та енергії квантів світла, що фотоактивують поляризацію. Вивчено еволюцію петель гістерезису. У процесі інтерпретації результатів враховано бар'єри Шотткі, обмежену інжекцію з електродів, механізми об'ємно-зарядової та квазідипольної поляризації, відповідальної за формування термо- та фотоелектретних станів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|