![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000164355<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Сукач А. В. Исследование механизмов переноса заряда в диффузионных InAs p - n-переходах / А. В. Сукач, Г. С. Олейник, В. В. Тетеркин, А. Т. Ворощенко, В. И. Лукьяненко, Т. П. Нужная // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2005. - Вып. 40. - С. 248-257. - Библиогр.: 32 назв. - рус.Исследованы механизмы переноса заряда в InAs p - n-переходах, изготовленных методом диффузии акцепторной примеси кадмия. Показано, что в интервале температур 190 - 300 K при прямых и обратных напряжениях смещения наблюдается преимущественно диффузионный механизм переноса заряда. При более низких температурах <$E T~<<~190> K преобладает туннельный механизм (ТМ). Предложена модель реализации ТМ переноса заряда через локальные участки p - n-перехода с участием глубоких центров. Рассчитан генерационно-туннельный ток и получено согласие с экспериментом в широком интервале обратных смещений и токов. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|