Исследованы механизмы переноса заряда в InAs p - n-переходах, изготовленных методом диффузии акцепторной примеси кадмия. Показано, что в интервале температур 190 - 300 K при прямых и обратных напряжениях смещения наблюдается преимущественно диффузионный механизм переноса заряда. При более низких температурах <$E T~<<~190> K преобладает туннельный механизм (ТМ). Предложена модель реализации ТМ переноса заряда через локальные участки p - n-перехода с участием глубоких центров. Рассчитан генерационно-туннельный ток и получено согласие с экспериментом в широком интервале обратных смещений и токов.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Ворощенко Андрій Тарасович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"