Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах (ЕШ) Al0,1Ga0,9As і Al0,28Ga0,72As, вирощених за допомогою методу низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0,014 ат %, то концентрація вільних дірок у легованих плівках є вищою за <$E 1~cdot~10 sup 18~roman см sup -3>, що є достатнім для їх використання як активних та емітерних шарів лазерної гетероструктури. Проаналізовано залежність результативної концентрації дірок в ЕШ від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.

• Заячук Дмитро Михайлович (технічні науки)
• Круковський Семен Іванович (технічні науки)
• Мрихін Ігор Олександрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"