Проаналізовано взаємодію рідкісноземельних елементів (РЗЕ) та алюмінію з фоновими домішками в індієвих та галієвих розплавах за температур відпалу 1100 <$E symbol Р>С. Досліджено вплив комплексного легування розплавів галію та індію РЗЕ та алюмінієм на електрофізичні властивості шарів GaAs та InGaAsP, одержаних за температур епітаксії 640 - 700 <$E symbol Р>С. На основі досліджень запропоновано модель, що пояснює механізм аномальної "очистки" епітаксійних шарів GaAs та InGaAsP від фонових домішок гетеруванням кисню у розплавах через утворення оксидів Yb2O3, Al2O3 та подвійних оксидів Yb3Al5O12, а також впливом РЗЕ та алюмінію на перерозподіл дефектів у процесі кристалізації шарів.

• Круковський Семен Іванович (технічні науки)
• Федорчук Анатолій Олександрович (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"