Исследованы усовершенствованные поверхностно-барьерные структуры, у которых вместо металла (диоды Шоттки) применяется вырожденный полупроводник Cu1,8S, отсутствует длинноволновая чувствительность, определяемая эмиссией электронов. Показано, что в основе технологии получения многослойных поверхностно-барьерных ультрафиолетовых (УФ) преобразователей лежит использование варизонных слоев. Последние решают важные вопросы: встраивание тянущих квазиэлектрических полей, устранение рекомбинационных центров на границе разных по природе материалов, компенсация обедненной области и создание омических контактов. Приведены результаты оже-спектрометрических исследований структуры <$E roman {Cu sub 1,8 S~-~ZnS~-~Zn} sub x {roman Cd} sub 1-x roman {S~-~CdS}>. Построена энергетическая зонная диаграмма. Разработаны УФ-сенсоры для различных участков спектра, в том числе: фотоэлектрические преобразователи (ФП) CdS с рекордными значениями чувствительности в УФ-области спектра и ФП ZnS нечувствительные (более четырех порядков величины) в видимом диапазоне спектра солнечного излучения.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"