Кутний Д. В. Моделирование вольт-амперных характеристик детекторов рентгеновского и гамма-излучения на основе структур Me-CdZnTe-Me / Д. В. Кутний, В. Е. Кутний, А. В. Рыбка, И. Н. Шляхов, А. А. Захарченко, К. В. Кутний, А. А. Веревкин // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Сер. фіз. "Ядра, частинки, поля". - 2007. - N 777, вип. 2. - С. 73-78. - Библиогр.: 22 назв. - рус.Рассмотрены особенности формирования барьерных контактов на высокоомном полупроводниковом соединении CdZnTe p-типа для создания детекторов рентгеновского и гамма-излучения. Предложена эквивалентная электрическая схема структуры металл - полупроводник - металл, позволяющая моделировать различные типы и варианты контактов. На основе структур Au-CdZnTe-In созданы детекторы для регистрации низкоэнергетического гамма-излучения, характеризующиеся малыми токами утечки ~ 1,5 нА при напряжении смещения 100 В. Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|