Змодельовано вольт-фарадні характеристики для контакту метал - напівпровідник із кількома шарами квантових точок в області просторового заряду напівпровідника. Одержано аналітичні вирази для окремих ділянок вольт-фарадних залежностей, де заряд, накопичений у квантових точках, може суттєво збільшуватися та, відповідно, впливати або не впливати на величину ємності структури. Показано, що для напівпровідників p- і n-типу ділянки, де має спостерігатися вплив шарів квантових точок на вольт-фарадну залежність, повинні знаходитись у дещо різних діапазонах прикладених напруг.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5 в641.0

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ільченко Володимир Васильович (технічні науки)
• Ільченко Василь Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"