Ільченко В. В. Моделювання вольт-фарадних характеристик для контакту метал - напівпровідник з кількома шарами вбудованих квантових точок / В. В. Ільченко // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2007. - № 1. - С. 253-262. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.Змодельовано вольт-фарадні характеристики для контакту метал - напівпровідник із кількома шарами квантових точок в області просторового заряду напівпровідника. Одержано аналітичні вирази для окремих ділянок вольт-фарадних залежностей, де заряд, накопичений у квантових точках, може суттєво збільшуватися та, відповідно, впливати або не впливати на величину ємності структури. Показано, що для напівпровідників p- і n-типу ділянки, де має спостерігатися вплив шарів квантових точок на вольт-фарадну залежність, повинні знаходитись у дещо різних діапазонах прикладених напруг. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5 в641.0
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|