Установлено, що в електронно-дірковій плазмі, індукованій у напівпровідниках дією імпульсного лазерного випромінювання, відбувається розшарування температури кристалічної решітки і концентрації носіїв заряду. Крім того, існує додатний зворотний зв'язок між температурою кристалічної решітки і концентрацією носіїв заряду в області їх флуктуації. Вказаний зв'язок зумовлює як підсилення флуктуацій температури, так і призводить до формування у напівпровідниках квазіперіодичних температурних полів великої амплітуди. Неоднорідні температурні поля визначають особливості процесів плавлення, кристалізації і формування рельєфу поверхні в зонах дії лазерного випромінювання. Запропоновано математичні моделі динаміки формування поверхні, коли флуктуації фронту проплавів виникають уздовж вибраного вектора хвилі. Результати комп'ютерного моделювання динаміки формування поверхні проплаву на підставі цієї математичної моделі добре узгоджуються з експериментальними даними і вказують на фрактальний характер формування поверхні проплаву.

• Бончик Олександр Юрійович (фізико-математичні науки)
• Готра Зенон Юрійович (технічні науки)
• Кияк Степан Григорович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Мелешко Віра Василівна (педагогічні науки)
• Мелешко Віталій Вікторович (фізико-математичні науки)
• Мелешко Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Могиляк Іван Адріанович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"