Предложена теория возникновения неустойчивости границы двух жидких диэлектриков при наличии внешнего электрического поля, нормального этой границе. Исследованы детали критических условий неустойчивости в функции от внешних параметров задачи: отношения <$E epsilon~=~epsilon sub 1 "/" epsilon sub 2> диэлектрических постоянных двух сред с <$E epsilon sub 1> и <$E epsilon sub 2>, толщины жидких пленок, находящихся в контакте, и т.д. В частности, отмечена качественная разница в структуре возникающей гофрировки жидкой границы при изменении <$E epsilon>. В случае конечных значений <$E epsilon> критический период гофрировки остается конечным. Если же <$E epsilon~symbol О~0> (что соответствует бесконечной проводимости одной из сред), период гофрировки также неограниченно возрастает. Продемонстрирована возможность реконструкции жидкой границы в закритических условиях. Указано на существование двух режимов реконструкции: мягкого и жесткого, реализуемых при определенных соотношениях между внешними параметрами задачи. Обсуждены детали "мягкой" реконструкции, где используемый формализм имеет реальную область применимости. Отмечено, что манипуляции с параметром <$E epsilon~=~epsilon sub 1 "/" epsilon sub 2> в обсуждаемой проблеме качественно эквивалентны варьированию степени заселенности <$E delta> поверхности криогенной жидкости заряженными частицами (электронами или ионами) от ее нулевого значения (случай свободной от зарядов поверхности жидкости) до ее максимал

ьного значения <$E delta~=~1>, когда общая задача дает ответы, характерные для развития неустойчивости свободной границы металлической жидкости.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"