Вивчено утворення оксидних шарів на поверхні дисиліциду вольфраму в процесі електрохімічної поляризації в 3 %-ному розчині NaCl за умов 20 <$E symbol Р>C. Показано, що загальна товщина оксидного шару не перевищує 10 нм. Встановлено багатостадійний механізм анодного окиснення: утворюються оксиди вольфраму W3O і WO3, у яких ступінь окиснення металу тим вищий, чим більша поляризація; нижчий силіцид вольфраму W5Si3; діоксид силіцію. Подвійний електролітичний шар на межі дисиліциду вольфраму і водного розчину 3 %-ного NaCl утворюється внаслідок дисоціації силанольних груп, що знаходяться на поверхні силіциду. При цьому поверхня електрода набуває негативного заряду, а дифузний шар, що містить іони гідроксонію, - позитивного. В результаті утворення на поверхні WSi2 плівки SiO2 поліпшуються антикорозійні властивості матеріалу. Встановлена схема електрохімічного окиснення в цілому узгоджується з механізмом високотемпературного окиснення WSi2.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"