![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000170882<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Большакова І. А. Опромінення високоенергетичними електронами тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі InSb / І. А. Большакова, О. Ю. Макідо, Т. А. Московець, Ф. М. Шуригін, Н. В. Ковальова // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2006. - № 558. - С. 108-112. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.Досліджено вплив електронного опромінення при 300 К на параметри тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі легованого InSb. Одержано концентраційні та дозові залежності відносної зміни концентрації носіїв заряду в досліджуваних матеріалах під дією електронного опромінення. Обговорено особливості зміни параметрів тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів під дією опромінення. Проведеним ізохронним відпалом досліджено стійкість радіаційних дефектів в InSb. Індекс рубрикатора НБУВ: З222-5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|