Представлены научные идеи выдающегося украинского ученого - академика НАН Украины В. Е. Лашкарева, 100-летний юбилей которого недавно отмечен научной общественностью и именем которого назван созданный им Институт физики полупроводников (ИФП) НАНУ. Приведен краткий обзор публикаций по фотоэлектронным явлениям в узкощелевых полупроводниках A2B6 - направлению физики, основанному в Украине академиком В. Е. Лашкаревым. Отмечено, что работы по технологии выращивания и исследованию физических свойств одного из основных в настоящее время материалов инфракрасной техники - полупроводникового соединения <$E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te>, начались в Украине более 40 лет назад и успешно продолжаются при тесном сотрудничестве исследователей многих научных и научно-производственных организаций, одним из ведущих среди которых является ИФП НАНУ. Рассмотрен широкий класс физических явлений, обнаруженный в кристаллах узкощелевого и бесщелевого <$E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te>.

• Гасан-заде Салім Гюльрзаєвич (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"