Досліджено можливості сукупного використання ізовалентного заміщення атомів у металічній підгратці та домішок рідкісноземельних елементів у процесі створення лазерних структур на основі арсеніду галію в технології РФЕ. Під час відпрацювання технологічних режимів одержання за допомогою методу РФЕ епітаксійних шарів на основі GaAs, легованих ітербієм, виявлено ефект підсилювання гетеруючої дії ітербію за присутності алюмінію. Ефект полягає в тому, що у разі сукупного додавання в галієві розчини-розплави (РР) Al і Yb концентрація вільних електронів у шарах AlGaAs, що кристалізуються з легованих розплавів, зменшується тим інтенсивніше, чим більший вміст алюмінію у вихідній шихті. Для твердих розчинів <$E {roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As> складів x = 0,1 і 0,3 визначено оптимальні концентраційні діапазони домішки ітербію в РР, які забезпечують рівень електрофізичних параметрів шарів, необхідний для створення на їх основі лазерних структур.

Ключ. слова: рідинно-фазна епітаксія, арсенід галію, тверді розчини, домішки, рідкісноземельні елементи, подвійні гетероструктури, лазерна генерація
Індекс рубрикатора НБУВ: З86-531.3

Рубрики:

Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка)

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Заячук Дмитро Михайлович (технічні науки)
• Круковський Семен Іванович (технічні науки)
• Мрихін Ігор Олександрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"