Кушніренко В. Особливості перехідних процесів у <$E bold {p sup + ~-~p~-~р sup +}> польових транзисторів, виготовлених за технологією "кремній на ізоляторі" / В. Кушніренко, С. Павлюк // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка. - 2007. - № 10. - С. 31-33. - Бібліогр.: 4 назв. - укp.
Досліджено особливості перехідних процесів під час протікання імпульсу струму в <$E p sup + ~-~p~-~р sup +> польових транзисторах, виготовлених за технологією "кремній на ізоляторі". На базі аналізу фізичної моделі дано пояснення відсутності коливань струму та напруги в досліджуваних структурах.
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"