Вивчено особливості структури та морфології тонких плівок оксиду цинку з різною концентрацією галію (1, 3, 5, 10 %), осаджених за допомогою методу PEMOCVD на аморфних (АП) і монокристалічних підкладках (МКП). Показано можливість одержання прозорих провідних плівок із хорошими морфологічними характеристиками на дешевих скляних підкладках. Виявлено ефект зміни переважної орієнтації плівки із (0001) до (101) для МКП і загального покращання структурної досконалості плівок на АП із збільшенням кількості галію. Відзначено загальну властивість галію як домішки зменшувати шорсткість плівок (ШП) оксиду цинку. Спостережено монотонне зменшення ШП оксиду цинку із збільшенням концентрації галію, осаджених на МКП і мінімальне значення <$E R sub q> = 2,3 нм досягається у разі 10 % Ga. На АП мінімальна шорсткість <$E R sub q> = 1,8 нм у разі 5 % Ga. Така властивість донорної домішки галію є корисною та сприятиме використанню оксиду цинку під час конструювання оптоелектронних приладів, як прозорих провідних шарів і прозорих електродів для сонячних елементів.

• Храновський Володимир Дмитрович (фізико-математичні науки)
• Копилова Людмила Іларіонівна (1948–) (технічні науки)
• Лашкарьов Георгій Вадимович (1937–2019) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"