Нанокластеры оксида цинка, в которых возможно проявление квантоворазмерных эффектов, получены с помощью метода осаждения аэрозоля водного раствора хлорида цинка. В качестве подложки использованы монокристаллы GaP, на поверхности которых выращен эпитаксиальный слой фосфида галлия р-типа. Такая поверхность, в отличие от окисленного Si, характеризуется, согласно литературным данным, малой плотностью электронных состояний. Получена стабильная полевая электронная эмиссия при среднем макроскопическом поле порядка <$E 10 sup 5> В/см. Вольт-амперная характеристика эмиссии отличается наличием трех резонансных пиков тока, появление которых можно объяснить резонансным туннелированием через дискретные уровни энергии электронов в потенциальной яме гетероперехода GaP - ZnO. Обсуждена энергетическая схема полевой эмиссии, учитывающая размерное квантование в нанокластерах оксида цинка.

Ключ. слова: оксид цинка, фосфид галлия, полевая электронная эмиссия, квантоворазмерные эффекты, вольт-амперные характеристики
Індекс рубрикатора НБУВ: Ж620 + В377.13

Рубрики:

Нанотехнології

Електронна емісія

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Горбик Петро Петрович (1950–) (фізико-математичні науки)
• Литвин Юрій Михайлович (фізико-математичні науки)
• Чуйко Олексій Олексійович (1930–2006) (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"