Досліджено спектральні характеристики кремнієвих сенсорів видимого та ультрафіолетового (УФ) випромінювання. Показано, що фоточутливість сенсорів, виготовлених за допомогою методу акустостимульованої імплантації іонів B та As, в ближній УФ області спектра на порядок перевищує чутливість аналогічних сенсорів, виготовлених без ультразвукової обробки. Дослідження профілів залягання імплантованих домішок показують, що у випадку домішки B даний ефект пояснюється зменшенням глибини p - n переходу, а у випадку As - зменшенням концентрації рекомбінаційно-активних центрів в області емітера та/або збільшенням електричної активації домішки. Запропоновано пояснення фізичних механізмів спостережуваних ефектів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Мачулін Володимир Федорович (1950–2014) (фізико-математичні науки)
• Оліх Ярослав Михайлович (фізико-математичні науки)
• Попов Всеволод Геннадійович (фізико-математичні науки)
• Попов Валентин Георгійович (фізико-математичні науки)
• Романюк Борис Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"