Залесский В. Б. Получение тонких пленок оксида цинка методом реактивного магнетронного распыления и исследование их электрических и оптических характеристик / В. Б. Залесский, Т. Р. Леонова, О. В. Гончарова, И. А. Викторов, В. Ф. Гременок, Е. П. Зарецкая // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - 6, № 1. - С. 44-49. - Библиогр.: 16 назв. - рус.Разработана технология получения нелегированных кристаллических пленок оксида цинка, обеспечивающая возможность целенаправленного изменения их электрического сопротивления (ЭС) в пределах <$E rho~=~3~times~10 sup -4~-~1~times~10 sup 7~roman {Ом~cdot~см}>. Изучена взаимосвязь электрических характеристик ZnO-слоев с параметрами процесса их нанесения и определены условия формирования высокоомных i-ZnO- и низкоомных n-ZnO-пленок с заданными значениями ЭС. Установлено, что доминирующим фактором, определяющим величину проводимости пленок ZnO, является изменение концентрации свободных носителей, контролируемое кислородными вакансиями. С целью выбора оптимальных режимов формирования высокопрозрачных покрытий с заданной величиной проводимости изучены особенности микроструктуры и спектральных свойств (спектров краевого поглощения и пропускания в области прозрачности) n-ZnO-пленок, осажденных специальными методами реактивного магнетронного распыления цинковой мишени в среде аргона с кислородом (10 % Ar, 90 % O2) при давлении <$E 5~times~10 sup -3> мм. рт. ст. Показано, что разработанный метод дискретного формирования ZnO-пленок на аморфных подложках обеспечивает изготовление кристаллических структур стехиометрического состава с высокой плотностью упаковки и пространственной ориентацией кристаллитов в направлении [002]. Установлено, что даже в случае n-ZnO-пленок с <$E rho~=~3~times~10 sup -3~roman {Ом~cdot~см}> особенности микроструктуры обусловливают высокую величину пропускания покрытий. Показана возможность формирования двухслойных структур n-ZnO/i-ZnO, перспективных для снижения себестоимости солнечных элементов при их серийном производстве. Ключ. слова: оксид цинка, реактивное магнетронное распыление, цинковая мишень, среда аргона с кислородом, электрическое сопротивление, кристаллические ориентированные пленки, высокопрозрачные электрические контакты и буфферные слои, тонкопленочные солнечные элементы Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395 + В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|