Разработана методика выращивания высокоомных фоточувствительных поликристаллических слоев теллурида кадмия на диэлектрических подложках, отличающаяся высокой скоростью массопереноса и малыми потерями испаряемого материала. Предложена модель межзеренной границы в виде сильнолегированных сильнокомпенсированных областей теллурида кадмия, на основе которой непротиворечиво объяснена совокупность экспериментальных результатов по механизмам переноса носителей заряда в широкой области температур и напряжений смещения. Обнаружена полевая зависимость энергии активации электропроводности в поликристаллических слоях CdTe, что является аналогом эффекта Френкеля - Пула для неоднородных полупроводников.

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Маслов Володимир Петрович (технічні науки)
• Ворощенко Андрій Тарасович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"