Наведено результати експериментальних досліджень радіаційної стійкості арсенід-галієвих сонячних елементів, опромінених електронами в 1 МеВ. Досліджено три типи сонячних комірок (СК), а саме: комірки з різким p - n переходом, переходом, у якому між p- та n-областями введено нелегований i-шар, p - i - n-структури, та комірки, у яких в ізолювальний шар введено квантові ями, p - i - QW - i - n-структури. Досліджено струм у темряві, струм короткого замикання та максимально розвинена електрична потужність залежно від дози опромінення. Показано, що СК з p - n-структурою виявляють більшу радіаційну стійкість. Розроблено модель, яка описує поведінку струму в темряві і струму короткого замикання в опроміненій p - n-структурі. Це дало можливість провести ідентифікацію глибоких рекомбінаційних центрів, введених опроміненням у p- і n-області СК. На підставі аналізу ступеня радіаційної деградації світлових характеристик СК зроблено висновок, що ці характеристики визначаються, головним чином, процесами нагромадження дефектів у p-області.

Ключ. слова: сонячні комірки, електронне опромінення, радіаційні дефекти, радіаційна стійкість, арсенід галію
Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"