Горкавенко Т. В. Розрахунок температурних залежностей зонної структури та щільності станів гексагонального оксиду цинку / Т. В. Горкавенко, С. М. Зубкова, Л. Н. Русіна, В. А. Макара, В. Л. Бекеньов // Укр. фіз. журн. - 2007. - 52, № 5. - С. 460-467. - Бібліогр.: 29 назв. - укp.За допомогою методу псевдопотенціалу з використанням феноменологічних параметрів розраховано температурні залежності актуальних екстремумів енергії у високосиметричних точках <$E GAMMA>, L, K, M, A, H зони Бріллюена та енергії основних міжзонних переходів між ними у гексагональному оксиді цинку, а також досліджено температурну залежність щільності електронних станів. Дослідження впливу температури на електронну структуру ZnO проведено з урахуванням двох факторів: теплового розширення гратки та електрон-фононної взаємодії. Детально проаналізовано температурні залежності енергетичних рівнів, міжзонні та внутрішньозонні переходи. Проаналізовано поведінку кривої щільності станів у разі зміни температури. Результати розрахунків добре узгоджуються з експериментальними даними. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|