Драпак С. І. Самоорганізація границі розділу гетеропереходів p-GaSe - n-InSe, виготовлених методом посадки на оптичний контакт, в процесі довготривалого зберігання / С. І. Драпак, З. Д. Ковалюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - 6, № 2. - С. 230-234. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.Досліджено зміну параметрів бар'єра в фотодіодах на основі оптичного контакту p-GaSe - n-InSe в процесі старіння. Встановлено, що в результаті довготривалого зберігання внаслідок дифузійного розпливання кисню, адсорбованого на межі розділу, напівпровідникові пластини приходять у тісний контакт, унаслідок чого гетеропереходи набувають нових властивостей, обумовлених квантово-розмірними ефектами. Ключ. слова: шаруваті напівпровідники, гетероперехід, вольт-амперні характеристики, вольт-фарадні характеристики, від'ємна диференційна провідність, резонансне тунелювання Індекс рубрикатора НБУВ: З852.6 + В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|