С помощью методов рентгено- и электронографического, резистометрического анализов, а также резерфордовского обратного рассеяния исследованы твердотельные реакции в тонкопленочной композиции Ti(10 нм)/Ni(10 нм)/C(2 нм) на монокристаллическом кремнии ориентации (001) после отжигов в вакууме <$E 1,3~cdot~10 sup -4> Па в температурном интервале 400 - 1 000 <$E symbol Р>C в течение 30 с. Установлено, что в тонкопленочной композиции Ті(10 нм)/Nі(10 нм)/С(2 нм)/Si(001) термостимулированные твердотельные реакции, которые обусловлены взаимной диффузией элементов осажденных слоев и кремния подложки, начинаются при температурах отжигов выше 400 <$E symbol Р>C. Формирование силицида никеля NiSi наблюдается после отжига при 550 <$E symbol Р>C, а отжиг при 600 <$E symbol Р>C вызывает превращение его в дисилицид никеля NiSi2. После отжига при 1 000 <$E symbol Р>C пленка состоит из дисилицидов титана TiSi2 и никеля NiSi2. Структура тонкопленочной композиции остается неразрывной, сплошной. Дополнительные слои титана и углерода не увеличивают термическую устойчивость силицида никеля NiSi.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"