Описано влияние обработки в водородной плазме с последующим осаждением алмазоподобной углеродной пленки (АПУП) на электронную полевую эмиссию (ЭПЭ) с пористого кремния (por-Si). Исходные пленки por-Si сформированы методом электрохимического травления при низких плотностях тока (1 - 5 мА/<$E roman см sup 2>). Обнаружено уменьшение электрического поля (ЭП) ЭПЭ со снижением тока при электрохимическом травлении. Показано, что эффективность ЭПЭ возрастает после удаления верхнего нанокристаллического слоя por-Si. Установлено, что обработка в водородной плазме с последующим осаждением тонкой АПУП значительно улучшает параметры ЭПЭ: снижается напряженность ЭП и увеличивается плотность эмиссионного тока. Указанная обработка приводит и к существенному увеличению интенсивности фотолюминесценции.

• Литовченко Володимир Григорович (1931–2021) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"