За допомогою методів вторинної іонної мас-спектрометрії та просвічувальної електронної мікроскопії досліджено вплив гідростатичного тиску (ГТ) азоту за високотемпературних відпалів на синтез прихованих шарів Si3N4 в кремнії після іонної імплантації азоту. Показано, що дія ГТ за температури 1130 <$E symbol Р>C стимулює формування стехіометричного шару Si3N4 із різкими межами поділу фаз і високим рівнем кристалічної досконалості приповерхневих шарів кремнію. Утворення таких структур можна пов'язати з генерацією міжвузловинних дефектів та їх впливом на формування фази Si3N4 під дією ГТ.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"