Досліджено температурні залежності діелектричних параметрів (<$E epsilon> і <$E tg delta>) і краю фундаментального вбирання халькогенідного скла (SbSI)0,90(As2S3)0,10. На температурних залежностях <$E epsilon> і <$E tg delta> виявлено аномалії, пов'язані з переходом скла у полярний стан при структурній релаксації з наступною його кристалізацією. Структурна релаксація супроводжується зміною нахилу і положення краю вбирання, а кристалізація скла - різким зростанням <$E epsilon> і <$E tg delta>. На температурних залежностях діелектричних параметрів закристалізованих зразків проявляються аномалії, характерні для сильно розмитого сегнетоелектричного фазового переходу. Збільшення температури відпалу супроводжується зростанням <$E epsilon> і <$E tg delta>. Вплив теплової обробки на властивості одержаних матеріалів інтерпретується в межах розмірного ефекту.

• Рубіш Василь Михайлович (фізико-математичні науки)
• Леонов Дмитро Сергійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"