Разработана методика изготовления InAs p - n-переходов кратковременной диффузией кадмия при температуре 650 <$E symbol Р>С в подложки n-типа проводимости. Показано, что на границе p - n-переходов формируется достаточно протяженная компенсированная область с концентрацией носителя заряда <$E n~=~p~=~1,0~cdot~10 sup 15~roman см sup -3>. Установлено, что в интервале температур 180 - 290 К механизм переноса заряда при прямых и обратных смещениях имеет преимущественно диффузионный характер, а при более низких температурах - туннельный. К тому же туннельные токи реализуются через локальные участки перехода с повышенной концентрацией носителей заряда. Выполнены расчеты спектральной фоточувствительности фотодиодов InAs, охлаждаемых до рабочей температуры T = 80 К, и получено удовлетворительное согласие с экспериментом с учетом влияния тянущего поля, возникающего вследствие экспоненциального характера распределения легирующей примеси, на квантовую эффективность.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.4 + З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Ворощенко Андрій Тарасович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"