Бабушкин А. Н. Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15 - 50 GPa и температурах 77 - 400 K / А. Н. Бабушкин, С. В. Татур, Т. С. Лях, А. Ю. Моллаев, Р. К. Арсланов, Л. А. Сайпулаева, С. Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. - 2006. - 16, № 2. - С. 51-54. - Библиогр.: 6 назв. - рус.При высоких давлениях до 50 ГПа измерена электропроводность диарсенида цинка ZnAs2 при подъеме и сбросе давления, сделан вывод о существовании при <$E roman P~symbol Ы~40> ГПа структурного фазового перехода. По температурным зависимостям электросопротивления показано, что в интервале температур 250 - 400 К проводимость определяется активационными механизмами, причем энергии активации изменяются с изменением температуры и давления. Рассчитаны барические зависимости энергии активации и коэффициента R0. Індекс рубрикатора НБУВ: Г122.415-23
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|