Кондрат О. Б. Явища перенесення носіїв заряду в гетероструктурах кристал Si-Bi-аморфна плівка Ge33As12Se55 / О. Б. Кондрат, Н. І. Попович, М. І. Довгошей // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - 6, № 1. - С. 68-73. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Наведено результати дослідження електрофізичних властивостей гетероструктур (ГС) Ge33As12Se55 - Si(n), одержаних за допомогою дискретного термічного напилення з комірок Кнудсена, з перехідним шаром (ПШ), модифікованим атомами вісмуту. Визначено механізм перенесення заряду в цих ГС. Показано, що бар'єр для дірок на межі поділу відсутній. Побудовано енергетичну діаграму ГС Ge33As12Se55 - Si(n). Установлено, що в структурах із модифікованим ПШ зникає м'який пробій, зумовлений перенесенням електронів у разі зворотнього зміщення. Бар'єр для електронів на межі поділу складає 0,62 еВ. Показано, що під час виготовлення ГС з модифікованим ПШ необхідно напилювати плівку Ge33As12Se55 товщиною не меншою 0,4 мкм. Виявлено, що у процесі модифікації перехідної області наношаром Bi відбувається перехід від різкого до плавного переходу, що зумовлено дифузією металу у ПШ і подальшим збільшенням області просторового заряду. Ключ. слова: гетероструктура, модифікований перехідний шар, вольт-амперна характеристика, вольт-фарадна характеристика, енергетична діаграма Індекс рубрикатора НБУВ: В377.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|