У межах дипольного наближення розвинено теорію взаємодії електромагнітного поля з одночастинковими квантоворозмірними станами (ОЧКРС) носіїв заряду, які виникали в об'ємі напівпровідникової квантової точки (КТ). Показано, що сили осциляторів переходів, дипольні моменти переходів для одночасткових станів, а також значення перерізів поглинання світла на ОЧКРС у КТ набувають великих значень, що перевищують типові значення для напівпровідникових матеріалів.

• Покутній Сергій Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"