Із метою вивчення нових оптичних явищ і механізмів перенесення заряду досліджено покращені патерні структури <$E roman {As sub 2 O sub 3}~-~pnn sup + - roman GaAs> шляхом аналізу їх вольт-амперних характеристик (ВАХ), спектрального фотовідгуку (ФВ), зображень у сканувальному електронному мікроскопі, а також за допомогою методів рентгенівського аналізу та спектроскопії електровідбиття. Патерні напівпровідникові середовища розвинені одночасно з утворенням арсенолітової оксидної фази As2O3 за допомогою анізотропного хімічного травлення (АХТ) у (10 - 15) N розчині азотної кислоти HNO3 верхньої поверхні p-типу структури <$E pnn sup +>-GaAs. Знайдено, що це середовище складається зі скелетно-дендритних морфологічних структур із розмірами приблизно 5 - 10 мкм, укритих хемосорбованим нанорозмірним шаром As2O3 і нестехіометричними шарами з вакансіями Ga і вільним As на межі поділу As2O3 - GaAs. Показано, що за сприятливих умов для виникнення патерну біля поверхні утворюється інверсійний шар у вигляді ями із трикутним потенціалом і змінною шириною від 14 до 25 нм. У цьому випадку на темновій ВАХ у прямому напрямку спостережено ділянку негативного диференціального опору з осциляційною поведінкою та відношенням струмів на вершині й у долині від 10 до 100, що є типовим для квантованої структури. Спектральні дані показали підвищення короткохвильової частини спектра відносно довгохвильової. Виявлено також вплив режиму виникнення патерну на фотовольтаїчні параметри. Для вищих значень зворотної напруги реалізовано підвищення

коефіцієнта ФВ аж на 4 порядки завдяки лавинному розмноженню. Виявлення ФВ поза нормальним краєм поглинання в GaAs можна пояснити ефектом Франца - Келдиша. Запропоновано модель розвитку скелетно-дендритної багатошарової патерн-структури <$E roman {As sub 2 O sub 3}~-~pnn sup + - roman GaAs> під час АХТ. Розглянуто механізм переносу заряду й особливості структури забороненої зони.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.24

Рубрики:

Квантова теорія

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Смертенко Петро Семенович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"