Під час виготовлення фотодетекторів на основі <$E {roman Hg} sub 1-х {roman Cd} sub х roman Te> використано гетероструктури цих матеріалів у вигляді тонких шарів, наприклад CdTe/<$E {roman Hg} sub 1-х {roman Cd} sub х roman Te>. Досліджено гетероструктури - пасивувальний шар CdTe (з полікристальною і монокристальною структурами) та активну монокристалічну плівку <$E {roman Hg} sub 1-х {roman Cd} sub х roman Te>, одержані з використанням методу молекулярно-променевої епітаксії. Cтруктуру пасивувальних шарів досліджено методом дифракції електронів високих енергій на відбиття. Для вивчення впливу структури пасивувального покриття на властивості активного шару застосовано метод X-променевої дифрактометрії. Виміряно сталу кристалічної решітки активного шару плівки. Механічні властивості гетероструктур досліджено за допомогою методу мікротвердості. Подано електрофізичні та фотоелектричні параметри епітаксійних плівок <$E {roman Hg} sub 1-х {roman Cd} sub х roman Te>.

• Гиренко Інна Володимирівна (1983–) (юридичні науки)
• Вірт Ігор Степанович (фізико-математичні науки)
• Сизов Федір Федорович (1946–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"