Описано інжекцію заряду в пористих структурах кремнію, виготовлених електрохімічно у випадку 20 Ом <$E cdot> см кремнію p-типу. Спектри фотолюмінесценції та кінетику тривалості життя досліджено за температур 77, 293 і 373 K. Вимірювання показують, що фотолюмінесценція в шарах пористого кремнію є результатом рекомбінації електронів і дірок, захоплених у потенціальних ямах різної глибини та форми; інтенсивність контролюється невипромінювальною рекомбінацією на дротяних межах. Потік заряду в структури Au(AI)-porSi-Si-Al є результатом передачі заряду конфігурації метал - тонкий ізолятор - напівпровідник. Струм не обмежується провідністю ізолювальних шарів; він обмежується процесами генерації в областях просторового заряду та контакту ізолятор - напівпровідник через велику кількість дефектів з різними енергіями іонізації. Потенціальні бар'єри поверхні пористого кремнію формуються завдяки поверхневим дефектам кремнієвого дроту/оксиду; їх утворення залежить від відношення зовнішнього потенціалу до внутрішнього.

Ключ. слова: porous silicon, photoluminescence, surface defects
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В368.1

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Фізика високих температур

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Смертенко Петро Семенович (фізико-математичні науки)
• Богословська Алла Борисівна (фізико-математичні науки)
• Горонескуль Віктор Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"