Досліджено струмові осциляції та домени сильного поля, що виникають у багатошарових n-InGaAs/GaAs гетероструктурах з <$E delta>-легованими квантовими ямами. Показано, що в сильних латеральних електричних полях в таких структурах утворюється акусто-електричний домен, локалізований у прианодній області. Струмові осциляції мають згасний характер, а їх появі передує інкубаційний період тривалістю в декілька сот наносекунд. Одержані результати пояснено в межах моделі, що враховує часткове відбивання прямого акустичного потоку від анода.

Ключ. слова: hot electrons, heterostructures, quantum wells, intersubband transitions, high-field domains
Індекс рубрикатора НБУВ: В377.1

Рубрики:

Електричні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"