Vainberg V. V. Current oscillation and high-field domains in the InGaAs/GaAs heterostructures with a <$E bold delta>-doped quantum well / V. V. Vainberg, Yu. N. Gudenko, P. A. Belevskii, M. N. Vinoslavskii, V. N. Poroshin, V. M. Vasetskii // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2006. - 4, вип. 1. - С. 41-50. - Библиогр.: 16 назв. - англ.Досліджено струмові осциляції та домени сильного поля, що виникають у багатошарових n-InGaAs/GaAs гетероструктурах з <$E delta>-легованими квантовими ямами. Показано, що в сильних латеральних електричних полях в таких структурах утворюється акусто-електричний домен, локалізований у прианодній області. Струмові осциляції мають згасний характер, а їх появі передує інкубаційний період тривалістю в декілька сот наносекунд. Одержані результати пояснено в межах моделі, що враховує часткове відбивання прямого акустичного потоку від анода. Ключ. слова: hot electrons, heterostructures, quantum wells, intersubband transitions, high-field domains Індекс рубрикатора НБУВ: В377.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|