Релаксаційні процеси (РП) в <$E gamma>-опромінених (<$E 10 sup 4~-~5~cdot~10 sup 6> Гр) кристалах CsI - Cd і CsI - Ba досліджено за допомогою методу електропровідності та струмів термостимульованої деполяризації. Встановлено відмінності у перебігу процесів накопичення та руйнування дефектів у досліджуваних кристалах залежно від дози <$E gamma>-опромінення та типу катіонної домішки. Виявлено ефект генерації диполів і зростання електропровідності в монокристалах CsI - Cd під дією <$E gamma>-опромінення дозою <$E 10 sup 5> Гр. Опромінення кристалів CsI - Ba призвело до пониження їх електропровідності та різкого зменшення концентрації диполів. Запропоновано механізми, які пояснюють відмінності протікання РП у кристалах CsI - Cd і CsI - Ba під дією різних доз <$E gamma>-опромінення.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"