![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000183269<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Ptashchenko O. O. Effect of ammonia vapors on the surface current in silicon p - n junctions = Вплив парів аміаку на поверхневий струм у кремнієвих p - n переходах / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, O. V. Yemets // Фотоэлектроника. - 2007. - Вып. 16. - С. 89-92. - Библиогр.: 6 назв. - англ.Досліджено ВАХ прямого та зворотного струмів (ПЗС) у кремнієвих p - n переходах у повітрі, у повітрі за наявності парів аміаку за різних значень парціального тиску NH3, а також у повітрі після обробки в парах аміаку. Вплив адсорбованих молекул аміаку на прямий струм пояснено такими процесами: зростанням інтенсивності поверхневої рекомбінації, зумовленим електричним полем іонів аміаку, локалізованих на зовнішній поверхні шару власного оксиду; стравлюванням частини поверхневих рекомбінаційних центрів. Зміни ПЗС є оборотними, так що кремнієві p - n переходи можна використовувати як сенсори парів аміаку. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + З843.312
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|