Досліджено вплив меж поділу багатошарової сферичної кристалічної гетероструктури на потенціальну енергію зарядженої частинки. Розглянуто випадок, коли біля меж поділу існує тонкий проміжний шар, в якому діелектрична проникність є функцією координат <$E r,~theta> і <$E phi>. За допомогою методу класичних функцій Гріна визначено функціональну залежність потенціальної енергії заряду від відстані та кутів. На базі знайденого потенціалу взаємодії заряду з межею поділу розв'язано рівняння Шредінгера для поверхневих станів електрона та дірки гетеросистеми <$E beta>-HgS/CdS, що знаходяться у матриці. Показано, що такі стани повинні давати певний внесок у коефіцієнт міжзонного поглинання.

• Бойчук Василь Іванович (1953–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"