Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000183414<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Стороженко И. П. GaAs диоды Ганна с AlAs - GaAs - AlAs резонансно туннельным катодом / И. П. Стороженко, Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула // Радиофизика и радиоастрономия. - 2006. - 11, № 4. - С. 385-396. - Библиогр.: 12 назв. - рус.На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов (МПЭ) в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами МПЭ в активной области и резонансного туннелирования в n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs катодной области диода. Показано, что GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом могут иметь три разнесенные по напряжению зоны генерации колебаний мм диапазона. Определены вольт-амперные, энергетические и частотные характеристики диодов с разной длиной i:AlAs слоев и площадью сечения катодного контакта. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж15835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|