РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000183426<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Zukowski P.  
Generation-recombination mechanism of hopping recharging between deep amphoteric defects in strongly defected semiconductors = Рекомбінаційно-генераційний механізм стрибкоподібної провідності в сильно дефектних напівпровідниках з глибоко амфотерними дефектами / P. Zukowski, J. Partyka, P. Wegierek, T. Koltunowicz, M. Kowalski, Yu. Sidorenko // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 4. - С. 644-646. - Библиогр.: 14 назв. - англ.

Наведено модель стрибкоподібної провідності в сильно дефектних напівпровідниках з амфотерними дефектами. Показано, що збільшення концентрації дефектів викликає зменшення періоду життя носіїв струму, що призводить до переходу зони провідності до стрибкоподібної провідності. Перехідний критерій - це, коли період життя і значення часу релаксації прямують один до одного.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського