Zukowski P. Generation-recombination mechanism of hopping recharging between deep amphoteric defects in strongly defected semiconductors = Рекомбінаційно-генераційний механізм стрибкоподібної провідності в сильно дефектних напівпровідниках з глибоко амфотерними дефектами / P. Zukowski, J. Partyka, P. Wegierek, T. Koltunowicz, M. Kowalski, Yu. Sidorenko // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 4. - С. 644-646. - Библиогр.: 14 назв. - англ.Наведено модель стрибкоподібної провідності в сильно дефектних напівпровідниках з амфотерними дефектами. Показано, що збільшення концентрації дефектів викликає зменшення періоду життя носіїв струму, що призводить до переходу зони провідності до стрибкоподібної провідності. Перехідний критерій - це, коли період життя і значення часу релаксації прямують один до одного. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|