Дослідження проведено з урахуванням ефекту Малтера, контрольованого електричним полем. Використання шарів плівок оксиду індію, напилених на скляну підкладку, дозволило одержати відносно стабільний емітер. Для дослідження електронної емісії постійне поле прикладено між обома шарами плівок оксиду індію. Один із шарів слугував електродом, тоді як інший, розміщений із протилежного до скла боку, слугував емітером електронів. До електродів прикладено від'ємну напругу Upol. Усі дослідження проведено у вакуумі (<$E 10 sup -7> Па). Унаслідок прикладання напруги Upol і під дією освітлення одержано сигнал із фотоелектронного помножувача, який записано за допомогою мультиканального імпульсного аналізатора амплітуди. З'ясовано, що ефективність емісії за тієї самої величини індукуючого поля залежить від стану зразка безпосередньо перед вимірюванням, тобто, відбувається вплив попередніх вимірювань. Виявлено відмінність у залежності струму емісії від Upol під час підвищення спаду напруги, тобто відстежено ефект гістерезису.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.13

Рубрики:

Рентгеноструктурний аналіз

Шифр НБУВ: Ж28852/фіз. Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"