Gorban A. P. Impact of excess charge carrier concentration on effective surface recombination velocity in silicon photovoltaic structures = Вплив концентрації надлишкових носіїв заряду на ефективну швидкість поверхневої рекомбінації в кремнієвих фоточутливих структурах / A. P. Gorban, V. P. Kostylyov, A. V. Sachenko, A. A. Serba, I. O. Sokolovsky // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 6. - С. 598-604. - Библиогр.: 11 назв. - англ.У межах самоузгодженого підходу проаналізовано закономірності впливу на поверхневі рекомбінаційні втрати (ПРВ) величини та знака поверхневого заряду, параметрів рекомбінаційних центрів межі поділу діелектрик - напівпровідник, концентрації легуючих домішок в емітері та в базовій області сонячного елемента (СЕ), а також рівня ін'єкції (РІ) в базі та в емітері. Показано, що пасивація поверхні діелектричним шаром, що містить вбудований заряд того ж знака, що й основні носії заряду в прилеглому напівпровідниковому шарі, може призвести до катастрофічного збільшення ПРВ. У той же час у разі утворення приповерхневих шарів збагачення чи інверсії ПРВ у випадку малих РІ істотно знижуються. Залежно від величини та знака поверхневого заряду характер залежності ефективної швидкості поверхневої рекомбінації (ПР) від РІ нерівноважних носіїв заряду може бути як спадним, так і зростаючим. В області максимально великих РІ ефективна швидкість ПР перестає залежати від РІ та конструктивного виконання СЕ та визначається винятково параметрами поверхневих рекомбінаційних центрів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5 + З854.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|